为了支持客户器件选择的个性化和多样性， 从裸片层面挖掘RF功率器件的更多开发潜力，或者开发更为紧凑的载片及MCM模块， 结合最终用户声明，凯川电子可以提供系列的GaN HEMT或LDMOS 裸管芯。
管芯电压及功率分布
12V LDMOS：10W
28V LDMOS：1-12W
50V LDMOS：2-80W
28V射频GaN：1-150W，
50V射频氮化镓：6-480W
片式电容器：2-200pF
更多选择，请向我们查询频率上限或其他详细信息！
测试、包装和组装
装运前完成测试和目视检查
所有管芯都会包装后装在Gel-Pak容器中运输
真空环境拾取是首选的拾取方法
支持银浆烧结或金锡焊接
支持铝线或铜线导线键合方法
应用
宽带放大器
无线电链路放大器
TRX组件
载波射频子系统
测试和测量
