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ST (意法半导体)和 Innogration (远创达)签署LDMOS技术许可和合作协议!

发布时间:2018-02-14 09:55:27人气:

安排扩大了 ST 的可用射频功率市场

成熟且经过验证的技术非常适合无线基础设施等应用;工业、科学和医疗;航空电子设备和雷达;和非蜂窝无线电


日内瓦 /2018 年 2 月 14 日

STMicroelectronics(纽约证券交易所股票代码:STM)是一家为电子应用领域的客户提供服务的全球半导体领导者,今天宣布已与总部位于中国苏州的无晶圆厂半导体公司 Innogration Technologies就 LDMOS [1] RF 功率技术签署协议,专注于在射频功率半导体器件、模块和子系统组件的设计和制造方面。


LDMOS 器件结合了短传导通道长度和高击穿电压,非常适合射频功率放大器,可用于无线通信系统的基站,以及商业和工业系统的功率放大器。与 Innogration 达成的协议扩大了 ST 可以利用 LDMOS 技术解决的应用范围。


协议条款没有披露。


关于 STMicroelectronics

ST 是全球半导体领导者,提供智能、节能产品和解决方案,为日常生活中的核心电子产品提供动力。ST 的产品如今无处不在,我们与我们的客户一起实现更智能的驾驶和更智能的工厂、城市和家庭,以及下一代移动和物联网设备。通过从技术中获得更多,从生活中获得更多,ST代表生活。增强。


2017 年,公司净收入为 83.5 亿美元,服务于全球超过 100,000 家客户。如需更多信息,请访问www.st.com。


[1]  LDMOS - 横向扩散金属氧化物半导体